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美银预测存储芯片繁荣可能延续至2028年之后而无衰退

美银表示,存储芯片上行周期可能持续到2027年,避免2028年崩盘,并引用了TrendForce的吴雅婷的观点。

2026-11-11 03:11约 5 分钟阅读

近期的一份电话会议支持了这样一种观点:内存(尤其是HBM)仍然是AI供应链中最强劲的盈利驱动因素之一,这使得内存制造商和芯片设备供应商在近期科技股抛售后受益。投资者面临的关键风险在于TrendForce与美银价格假设之间的差距:如果美银关于更早出现回调的情景成为现实,那么整个行业2027年的盈利预测可能需要下调。降低2028年以后波动性的长期供应协议将挑战该行业通常的繁荣-萧条模式,并可能支撑更高的估值倍数。这一展望也与近期瑞银和软银的研究报告一致,它们将数据中心电力和政策视为AI建设的制约因素。

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TrendForce和美银都认为存储繁荣将持续,但它们的价格前景存在巨大分歧,而这个差距正是风险所在。

摘要:

  • 美银认为存储上行周期可能持续到2027年,并避免2028年的低迷,引用了TrendForce的吴雅婷的观点
  • 吴雅婷预计第四季度DRAM和HBM价格环比上涨10%至20%,NAND上涨8%至13%
  • 她预计HBM价格在2027年将翻番以上,长期供应协议将在2028年后抑制波动
  • 美银更为谨慎:第四季度DRAM上涨8%,NAND上涨3%,2027年HBM涨幅低于50%,回调可能最早于当年开始
  • 美银预测存储行业收入2026年为9700亿美元,2027年为1.47万亿美元,2028年为1.58万亿美元

据美国银行称,存储芯片行业当前的上行周期可能延续到2027年,并避免2028年的低迷。该行引用了TrendForce的吴雅婷在11月10日美银主办的网播中发表的言论。

吴雅婷表示,内存价格可能继续上涨。她预计DRAM和高带宽内存(HBM)价格在2026年第四季度环比上涨10%至20%,而NAND闪存价格将上涨8%至13%。展望未来,她预测2027年HBM价格将翻番以上。她还指出,芯片制造商和客户之间的长期供应协议可能有助于缓和2028年之后的价格波动。

美银大体同意这一看涨前景,但在定价方面持更为谨慎的立场。该行预计第四季度DRAM价格环比上涨8%,NAND价格上涨3%,均显著低于TrendForce的预测。该行还预计2027年HBM价格涨幅将保持在50%以下,远低于吴雅婷预期的翻番,并警告价格回调可能在2027年更早开始。

即使在这些更为保守的假设下,美银的数据仍指向一个非凡的增长期。该行预测全球存储行业收入2026年为9700亿美元,2027年升至1.47万亿美元,2028年达到1.58万亿美元。这一路径表明,该行业可能持续创下收入和盈利纪录直至2028年,而不是陷入先前存储繁荣之后的那种低迷。

这一争论之所以重要,是因为存储已成为AI供应链中最关键的环节之一。HBM与AI处理器堆叠在一起,以高速向它们提供数据,使其成为AI数据中心建设的核心,其定价能力一直是整个行业的主要盈利驱动因素。TrendForce与美银假设之间的分歧凸显了关于这种定价能力将持续多久仍存在多大不确定性。

TrendForce是一家总部位于台北的市场情报公司,追踪全球技术供应链,特别关注半导体、存储器和显示器。其DRAMeXchange部门是DRAM和NAND合约及现货定价方面最广泛引用的来源之一。

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